図3 束ね集積型分布反射器レーザの作製プロセス

束ね集積型分布反射器レーザの作製プロセス

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a)第一回目の結晶成長(液相エピタキシャル成長).活性層を形成.

b)レーザ活性領域を残すための化学エッチング.

c)分布反射器を形成するための周期的コルゲーション作製.

d)第二回目の結晶成長.導波路層を形成.

e)横幅を化学エッチングにより細く削り,ストライプ形状の集積レーザ形状を作製.

f)第三回目の結晶成長.活性領域や導波路を埋め込む.

これで基本構造が出来上がり,後は,電極を付け,切り出して,熱放散の良いヒートシンクの上に付ければ終了する.


LPE:液相エピタキシャル成長

SiO2:二酸化ケイ素.ガラスであり化学エッチングを行ないたくない領域を覆うように形成する目的と,絶縁物であるため,レーザの電流を流さない領域に形成する.

BH:埋め込みヘテロ構造.活性領域を含むヘテロ構造を別の半導体で埋め込んだ構造.光と電流を活性領域に閉じ込める.

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