窒化ガリウム（GaN）系半導体の結晶成長法を長年にわたって研究し、高品質な結晶の実現と、電気伝導性の制御（p-n接合の実現）に世界で最初に成功した。この研究により、GaN系半導体による高性能青色／紫色発光ダイオードおよびレーザーの実現の基礎を築いた。





　本研究の成果に対して、東レ科学振興会は、2000年、｢赤﨑　勇（名城大学）｣に東レ科学技術賞を贈った。