1. HOME
  2. 電気・情報関連(専門)
  3. 研究情報(登録番号3713)

半導体ダイナミックメモリの発明と電界効果トランジスタ微細化指針の提唱

ロバート・ヒース・デナード

 メモリ用集積回路として広く使われている「半導体ダイナミックメモリ(DRAM:Dynamic Random Access Memory)」の基本構造を発明し、デジタル情報の記憶容量や処理能力を格段に高め、情報・通信技術の飛躍的発展を可能とした。また、集積回路に不可欠なMOS型電界効果トランジスタを微細化するための設計指針を、同僚の協力を得て提案し、DRAMを含む集積回路全般の驚異的進展にも貢献した。


 (具体的内容は、右欄のWebページ「京都賞サイト」参照)

 本研究の成果に対して、稲盛財団は、2013年、ロバート・ヒース・デナード(IBMトーマス・J・ワトソン研究所)に京都賞(先端技術部門)を贈った。

関連する研究を検索

分野のカテゴリ

電気電子工学
(電子・電気材料工学)

関連する出来事

データなし

世の中の出来事

データなし

Webページ

博物館等収蔵品

データなし

キーワード

半導体ダイナミックメモリ、電界効果トランジスタ微細化、DRAM、MOS型電界効果トランジスタ、スケーリング則、メモリ集積回路技術
Page Top