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エサキダイオードの発明,およびその機能の理論的解明

  • 写真なし江崎 玲於奈
 江崎玲於奈氏は固体エレクトロニクスの基本問題である半導体の整流機構に関する研究に従事し,全く新しい負性抵抗特性をもったダイオードの発明を行った。江崎氏は,金属的半導体をP-N接合が整流器として働く限界と,逆耐圧特性の変化に関心を持ち,1018~1019/ccの燐あるいは砒素を不純物としてゲルマニウムや珪素中に拡散させる困難な実験を克服し,これをベースとしてP-N接合を合金法により作った。この特性を検討した 結果,濃度が5×1018/ccに達すると順方向において負性抵抗を示す未知の特異現象が発見され,この特性がトンネル効果によることを理論的に解明した。このP-N接合によるダイオードは多くの特徴をもつ能動素子として,真空管,トランジスターに匹敵し,更に広い応用面を開拓し得る有望な素子として発展が期待される。江崎氏の業績はエレクトロニックスの分野に多望な将来を開いた。


 本研究の成果に対して、仁科記念財団は、1959年、江崎 玲於奈(ソニー株式会社)に仁科記念賞を贈った。

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(物理)

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1959
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1959
伊勢湾台風が上陸し、大きな被害が出る。

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キーワード

エサキダイオード、固体エレクトロニクス、半導体の整流機構、負性抵抗特性、P-N接合、逆耐圧特性、トンネル効果、能動素子、不純物、ゲルマニウム、珪素、金属的半導体
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