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ピコ秒分光法による半導体の高密度励起効果の研究

  • 写真なし塩谷 繁雄
 半導体を強いレーザー光で励起したときに見られる電子,空孔の生成,それらの結合による励起子,さらに励起子の結合である励起子分子の生成,またそれらの消滅の過程の研究において,塩谷氏は世界的に見て最も優れた開拓者の一人であり,精力的にこれを発展させてきた。とくに最近では,10-12秒の程度の短時間に起る過程を追求するために,ピコ秒分光法の新しい開発に努力し,他にさきがけてその実験技術を進めることに成功した。これにより,たとえばカドミウム・セレナイドCdSeをレーザーパルスで照射したときに起る電子的過程の経過を時間的に分析する実験を行なっている。この一連の実験はそれ自体として重要な新知見を提供するばかりでなく,ここに開発された波長可変ピコ秒パルスの発生,ピコ秒分光法の実験技術は光物性研究の新生面を拓くものである。


 本研究の成果に対して、仁科記念財団は、1977年、塩谷 繁雄(東京大学)に仁科記念賞を贈った。

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キーワード

ピコ秒分光法、半導体、励起子、励起子分子、カドミウム・セレナイドCdSe、波長可変ピコ秒パルス、高密度励起効果、レーザー
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