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MOS反転層における二次元電子系の理論的研究

  • 写真なし安藤 恒也
 電算機の記憶および論理素子として重要な役割を担うMOS(金属—酸化物—半導体)反転層の二次元電子系は,量子化,多体効果,多重散乱など物性物理の基礎にかかわる諸現象を制御可能な条件の下に実現できる好舞台である。ここ約十年にわたるその研究の顕著な発展の中で,安藤氏はその理論的側面を実質的に担ってきた第一人者である。特にi)二次元サブバンド構造と光吸収における多体効果の予測,ii)サイクロトロン共鳴における量子振動効果の予言,iii)強磁場下電流磁気効果における二次元特有の効果の定量的研究は,いずれも明快精緻な理論として高い評価を得たばかりでなく,内外の実験的研究に指針を与え,かつそれにより実証された。なおiii)の一連の研究は,von Klitzing等による量子ホール効果発見への一つの素地になったと考えられるが,その正確な位置づけは,量子ホール効果自体の理論的解明をまってなさるべきであろう。

 本研究の成果に対して、仁科記念財団は、1982年、安藤 恒也(筑波大学)に仁科記念賞を贈った。

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キーワード

MOS反転層、二次元電子系、物性物理、二次元サブバンド構造、光吸収、サイクロトロン共鳴、量子振動効果、強磁場下電流磁気効果、量子ホール効果、多体効果、量子化、多重散乱
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