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遍歴する重い電子系のフェルミ面に関する研究

  • 写真なし大貫 惇睦
  • 写真なし長谷川 彰
大貫氏は希土類元素またはアクチナイド元素を含む重い電子系といわれる物質群の幾つかについて極めて良質の単結晶を作ることに成功し,それにより精度の高いドハース・ファンアルフェン効果と磁気抵抗効果の測定を行い,長谷川氏との協力によりそのフェルミ面を決定した。長谷川氏はf電子が遍歴的であるとしてそのバンド構造を計算するため,相対論的なバンド計算の手法を発展させ,これらの物質のいくつかについてその電子構造とくにフェルミ面を決定した。典型物質について大貫氏の実験との一致は特筆すべきものである。このことはこれらの物質においてはf電子が遍歴的であることを決定的に示すものであり,これら物質の理解に大きな一歩を印した。この一連の研究は他のグループの追随を許さないものであって,世界的に高く評価されている。


 本研究の成果に対して、仁科記念財団は、1992年、大貫 惇睦(筑波大学)、長谷川 彰(新潟大学)に仁科記念賞を贈った。

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キーワード

重い電子系、フェルミ面、希土類元素、アクチナイド元素、ドハース・ファンアルフェン効果、磁気抵抗効果、f電子、バンド構造、相対論的なバンド計算
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