1. HOME
  2. 物理関連(専門)
  3. 研究情報(登録番号2226)

アンダーソン局在およびメソスコピック系における量子輸送現象の理論

  • 写真なし川畑 有郷
川畑有郷氏は30年来の謎であった半導体の負の磁気抵抗効果を理論的に解明した。通常の金属を磁場中に置くと,その電気抵抗は磁場のない時に比べて増大する。ところが半導体がかなり多くの不純物を含む場合,その電気抵抗は磁場の下では減少するという現象が1950年代に佐々木亘氏等のよって発見され,その後の実験的研究によって多くの半導体で一般的に起こる現象であることが分ってきたが,その説明は長い間なされていなかった。川畑氏は1980年ごろ盛んであった2次元のアンダーソン局在に対する理論を3次元である半導体に適用し,負の磁気抵抗効果に対する明快な説明を与え,この分野の発展に大きな寄与をなした。川畑氏はその後も電子波の干渉が本質的役割をはたすメソスコピック系での電子の振舞いについて,独創的な理論を発表してこの分野の研究で指導的役割を果たしている。

 本研究の成果に対して、仁科記念財団は、1994年、川畑 有郷(学習院大学)に仁科記念賞を贈った。

関連する研究を検索

分野のカテゴリ

物理
(物理)

関連する出来事

データなし

世の中の出来事

1994
松本サリン事件が起こる。
1994
自民党と社会党の連立による村山内閣が発足する。

Webページ

データなし

博物館等収蔵品

データなし

キーワード

アンダーソン局在、メソスコピック系、量子輸送現象、半導体の負の磁気抵抗効果、電気抵抗、電子の振舞い
Page Top