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短波長半導体レーザーの研究

  • 写真なし中村 修二
 中村氏は,GaN系半導体材料を使用し,従来のLED(発光ダイオード)より100倍も明るい青,緑色を出すものを開発した。またInGaN単一量子井戸構造LEDも製品化し,さらにInGaN多重量子構造を発光層とすることにより,390~430nmの青紫色半導体レーザーを1995年末に世界ではじめて開発した。これらの成果は1996年7月21日,Berlinで開催中の第23回半導体物理学国際会議のPlenary Sessionで報告され,揺るぎない評価を獲得した。


 本研究の成果に対して、仁科記念財団は、1996年、中村 修二(日亜化学工業(株))に仁科記念賞を贈った。

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キーワード

短波長半導体レーザー、GaN系半導体材料、発光ダイオード、InGaN単一量子井戸構造LED、InGaN多重量子構造、青紫色半導体レーザー
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