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超高感度撮像管の研究開発

Si電子増倍形(SEM)撮像管の構造

図1 Si電子増倍形(SEM)撮像管の構造

Si電子増倍形(SEM)撮像管の光電変換特性

図2 Si電子増倍形(SEM)撮像管の光電変換特性

Si電子増倍形(SEM)撮像管による室内暗視撮像

図3 Si電子増倍形(SEM)撮像管による室内暗視撮像

 多年にわたる撮像管の研究において、撮像管の感度限界の理論を明らかにするとともに、シリコンの電子衝撃増倍作用を利用した超高感度撮像管を開発するなど低照度テレビジョン撮像技術の進展に貢献した。

 この技術に対して、テレビジョン学会は、1975年、宮代彰一氏(東芝)に丹羽高柳賞業績賞を贈った。


文献

[1] 宮代彰一、白水俊次、辻 重夫、堀内重治、Siターゲットによる電子像増倍、1969年、テレビジョン学会誌、Vol.23, No.5, pp.404-405
[2] 宮代彰一、白水俊次、井上正一、岩沢嶺男、橋本順一、堀内重治、辻 重夫、Siターゲットを用いた超高感度撮像管、1971年、東芝レビュー、Vol.26, No.1, pp.96-100
[3] 宮代彰一、白水俊次、シリコン電子増倍(SEM)形撮像管、1972年、テレビジョン学会誌、Vol.26, No.8, pp.669-676
[4] S. Miyashiro, S. Shirouzu, S. Tsuji, and S. Horiuchi、Image Electron Multiplication by Si Target、1969年、Proc. of IEEE, Vol.57, pp.2080-2081
[5] S. Shirouzu, S. Miyashiro, S. Tsuji, and S. Horiuchi、Television Camera Tube with Silicon Electron Multiplication、1969年、Proc. of the first conf. on Solid State Dev., Tokyo, Sept. 1969
[6] S. Miyashiro and S. Shirouzu、Silicon Electron Multiplication (SEM) Camera Tube、1971年、IEEE Trans. on ED, Vol.ED-18, No.11, pp.1023-1028

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感度限界、電子衝撃増倍作用、超高感度撮像管、撮像、テレビカメラ
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