1. HOME
  2. 電気・情報関連(入門)
  3. 研究情報(登録番号966)

長距離大容量の光通信用光半導体デバイスの開発

InGaAsP-DFB-DC-PBH単一波長半導体レーザの構造

図1 InGaAsP-DFB-DC-PBH単一波長半導体レーザの構造

InGaAs/InP-PLEG高感度プレーナ型APDの構造

図2 InGaAs/InP-PLEG高感度プレーナ型APDの構造

 光通信システムの開発は、シリカ(二酸化ケイ素)系の「単一モードファイバ」の1.3~1.5ミクロン波長帯を用いた伝送システムの実用化研究の段階をへて、大容量化と中継点の長距離化へ向かって進んでいました。このような光通信システムの実現には、単一波長で動作する安定な半導体レーザと高感度の受光素子の開発が欠かせません。

 そこでこの研究では、単一波長で動作する「InGaAsP/InP分布帰還形半導体レーザ」の開発に取り組み、1983年に単一波長動作で光出力20ミリワット、1985年には最大出力103ミリワットを達成しました。また、素子そのものに増幅作用のある「InGaAs/InPなだれ増倍形受光素子」の開発に取り組んで、受光素子の利得と帯域の積を70ギガヘルツまで向上させたのです。

 さらに1988年、開発した半導体レーザと受光素子を用いて毎秒10ギガビットの伝送速度で80kmの伝送実験に成功しました。

 なお、In・Ga・As・Pは元素記号で、半導体を構成しているインジウム・ガリウム・ヒ素・リンを表しています。



さらに詳しく知りたい読者は「専門向け」のページもご覧ください。


関連する研究を検索

分野のカテゴリ

電子・デバイス
(光技術)

関連する出来事

データなし

世の中の出来事

1989
昭和天皇が崩御する。
1989
消費税がスタートする。

Webページ

データなし

博物館等収蔵品

データなし

キーワード

分布帰還形半導体レーザ、なだれ増倍型受光素子、半導体レーザ、受光素子、レーザ・量子エレクトロニクス
Page Top