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64キロビット超LSIメモリの研究開発

64キロビット超LSIメモリのチップ写真

図1 64キロビット超LSIメモリのチップ写真

実現された64キロビット超LSIの主な特性

図2 実現された64キロビット超LSIの主な特性

 メモリ用の大規模集積回路(LSI)は、すでに1キロビット、4キロビット、16キロビットの容量のものが実用になっていて、さらに電気通信機器や情報処理装置の小型化、高性能化を図ろうとLSIの高集積化の開発研究が盛んに行われていました。そんな中で64キロビットの超LSIメモリを世界に先がけて開発したのは、電電公社の武蔵野電気通信研究所でした。

 独創的な回路技術やプロセス技術を駆使して、約6mm角のシリコンチップの上にトランジスタやコンデンサなど約15万6千個の素子を集積したのです。これは金属-酸化膜-半導体の基本構造をもつMOS形ランダムアクセスメモリで、任意のアドレスを指定すると、そのデータを直接読み書きできるメモリでした。



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キーワード

64キロビット超LSIメモリ、超LSIメモリ、集積回路、シリコン材料・デバイス、VLSI設計技術
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