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MOSデバイスに関する基礎研究

 IC(集積回路)やLSI(大規模集積回路)に使われているトランジスタの大半は、MOS電界効果トランジスタで、金属-酸化膜-半導体という基本構造をもっています。

 MOS電界効果トランジスタは、半導体基板にソースとドレインを作り込み、ゲート(金属)から絶縁膜(酸化膜)を通して電圧をかけ、ソース-ドレイン間の電流通路(チャネル)の電流を制御します。トランジスタをはじめMOS集積回路、MOS電荷結合素子といったMOSデバイスは、小型なのでLSIに適したデバイスとして世界各国で研究や実用化が進められていました。

 この研究では、MOSデバイスの安定化や高速化をめざし、シリコン酸化膜の構造のほか、チャネル内での電子の振る舞いなども解明しました。



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MOSデバイス、シリコン材料・デバイス
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