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半導体素子の低温処理による性能向上

 トランジスタなどシリコンを主な材料とする半導体素子は、いったん作り上げてしまったあとは、もう変化しないことが重要です。少しでも変化すると、それを使って組み立てた電子機器に雑音などが生じるからです。

 それまでの半導体素子の製法では、シリコン表面の処理に使った薄い膜をそのまま残すというプレーナ法が広く用いられてきましたが、これでは素子特性を向上させることは困難でした。そこでこの研究では、半導体表面を低温で処理して変化を食い止める方法の基礎研究を始め、1964年に新しいトランジスタ(PM形トランジスタ)を開発しました。さらに1968年にはLTPタイプのトランジスタの大規模工業化に成功したのです。



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キーワード

表面不活性化、低温不活性化、シリコン材料・デバイス
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